基准和感应线圈将经历相同的环境变化、因此可以计算出温度的影响。 根据经验、温度对 PCB 线圈(使用 C0G 电容器)电感的影响约为30ppm/C 振荡器也会随温度漂移、这会影响测量(请注意、如果使用了参考线圈、这也会得到补偿)。
2022年9月7日 · NPO（COG）是温度特性最高稳定的电容器,电容温漂很小,整个温度范围容量很稳定,温度也是-55~125度,适用于振荡器,超高频滤波去耦,但容量一般做不大（几千个pF）。
多层陶瓷电容器 (MLCC) 的详细规格表中显示的"工作温度范围"和"适用温度范围"之间的区别如下表所示。 性能和测试方法中的"静电容量温度特性"项目及表A。 或参照 "按规格搜索" 中的"温度特性"项目。 请配合完成FAQ改善问卷。 FAQ对您有帮助吗? 如果可以的话,请您提出对FAQ的意见及要求。 您的意见将会用于FAQ的改善中。 ※ 以这一方式提出的疑问及要求将不予以回复。 如
2024年10月17日 · MOSFET是一种基于电场控制的器件,其导通电阻和阈值电压对温度敏感。 温度变化对MOSFET的影响主要体现在以下几个方面： 阈值电压（Vth） ：随着温度升高,MOSFET的阈值电压通常会下降。 这是因为半导体材料的热生载流子增加,导致器件更容易导通。 导通电阻（Rds (on)） ：MOSFET的导通电阻随着温度升高而增加。 高温下载流子的移动
2010年4月20日 · 线圈的电感量和分布电容是随温度升高而增大的,因此在振荡回路中使用具有负温度系数的陶瓷电容器,可以补偿电感线圈参数随温度的变化,使回路的谐振频率受温度变化的影响减少,从而提高了振荡回路的稳定性。
2023年9月25日 · 电容器制造商通常会提供温度特性曲线,显示容值随温度变化的关系。 电容器的等效串联电阻（ESR）也受温度影响。 在高温下,ESR通常会降低,而在低温下会增加。 这可能会影响电容器在高温或低温环境中的性能。 不同类型的电容器在温度特性方面表现不同。 例如,陶瓷电容器通常在温度变化下具有较好的性能稳定性,而电解电容器的性能可能在高温下下
2011年4月14日 · 当线圈与电容器被结合使用时,线圈的电感会随着温度的上升而增加,这时则可以利用负温度系数电容器来进行修正。 高诱电型 是一种采用了介电常数较高材料的电容器,具有静电容量较高的特点。
2024年10月11日 · 当电容器使用于温度较高的汽车引擎室内或者南极等寒冷地区的电子设备中时,必须考虑其使用环境条件来进行设计。 参照国际电工技术委员会（IEC）和美国电子工业联合会（EIA）标准, 根据陶瓷电容容值随温度变化的规律,对陶瓷电容进行了分类,标准如下：
2021年8月9日 · 如用于产生热量的线圈,请确认电容器表面温度的升高幅度是否低于20℃,并使其表面温度低于工作温度上限。 注意：电容的表面温度,包括其自身产生的热量的一部分,必须低于工作温度上限。
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