2010年4月2日 · 当负载很大时,电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定硅光电 ... 4、硅光电池伏安特性 实验装置原理框图如图2-13 所示。 图2-13硅光电池伏安特性测试 （1）组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计
2014年12月10日 · 2.2 测量硅光电池伏安特性曲线方法的改进 （a） （b） 图1 硅光电池伏安特性曲线测量原理示意图 如图 1（b）所示,在一定光强照射下,硅光电池将产生光电压 U1, 与一极性相反、大小可调的电源相接。 当外电源E 的电压与光电池电压U1 刚好相等
3.3 硅光电池伏安特性测定 输入光强度不变时（驱动电流分别取5 mA和 15mA）,测定当负载在 0.5kΩ～9.5kΩ的范围内 变化时,光电池的输出电压随负载电阻变化关系 曲线。 14 思考题 光电池在工作时为什么要处于零偏或负偏？ 光电池对入射光的波长有
测量硅光电池伏安特性曲线的改进研究-I —— 二极管反向漏 电流 e — — 电子 电量 k ——玻耳兹曼常量 T — — P _ — N 结的工作热力学温度 v — —结偏置 电压 2 硅光电池的伏安 特性 曲线的改进测量 2 ． 1 硅光电池的伏安特性曲线 原理 如 图l（ a ）中
2022年6月5日 · 2.3 硅光电池的基本特性 2.3.1 伏安 特性 一定光照下,光电池两端加负载就会有电流流过,负载很大时,电流较小而电压较大 ... 4.1 硅光电池输出特性测量 用溴钨灯照射硅光电池,电阻箱为负载,测量不同L、RL 下硅光电池的工作电压
2021年3月27日 · 测量硅光电池伏安特性曲线的改进研究摘要：文章基于伏安法测电阻的基本原理,对现有硅光电池的伏安特性测量方法进行改进,利用交流电压信号和双通道示波器的X-Y信
3．硅光电池伏安特性测定 在硅光电池输入光强度不变时（取发光二极管静态驱动电流为15mA）,测量当负载从0～100kΩ的范围内变化时,光电池的输出电压随负载电阻变化关系曲线。
光电池伏安特性曲线与普通半导体二极管相同-光电池伏安特性 曲线与普通半导体二极管相同 首页 文档 视频 音频 文集 文档 公司财报 ... 图2.4.8画出了按图2.4.2所示电路测量的、 硅光电池在受光面积为 1cm2 的伏安特性 曲线。 图中还画出了0.5、1、3kΩ的
2010年4月2日 · 硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
2010年4月2日 · 4、硅光电池伏安特性 测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 ... 图2-7硅光电池负载特性的测定 在线性测量中,光电池通常以电流形式使用,故短路电流与光照度（光能量）呈线性关系,是光电池的重要光照特性
2012年10月19日 · 硅光电池特性实验 硅光电池是一种能够将太阳能转化为电能的半导体器件。在这个实验中,我们将探究 硅光电池的特性,包括其随着光照强度、温度和负载电阻的变化,以及其 I-V 曲线和 P-V 曲线。 实验材料： 1.硅光电池 2.台式数字万用表 3.90W 白色 LED 灯 4.恒流源 5.电阻箱 实验步骤： 1.电路连接
2014年4月22日 · 实验S-3-5 硅光电池特性的研究 实验 S-3-5 硅光电池特性的研究与应用 硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、性能
2010年4月2日 · 4、硅光电池伏安特性 测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 ... 较小而电压较大；当负载很大时,电流较大而电压较小。实验时可改变负载电阻RL的值来测定硅光电池的负载特性 。 式（1）中Is为饱和电流,V为PN结
2013年12月4日 · 2.2 测量硅光电池伏安特性 曲线方法的改进 （a） （b） 图1 硅光电池伏安特性曲线测量原理示意图 如图1（b）所示,在一定光强照射下,硅光电池将产生光电压U1,与一极性相反、大小可调的电源相接。当外电源E的电压与光电池电压U1刚好相等时
三、硅光电池伏安特性测定 输入光强度不变时（驱动电流分别取5 mA和15mA）,测定当负载在 0.5kΩ～9.5kΩ 的范围内变化时,光电池的输出电压随负载电 阻变化关系曲线。 数据处理 注意事项
由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； 2. 无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变
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