2024年4月8日 · 光电探测器是单片集成硅基光电子技术的关键组件,可将光信号转换为电信号。 然而,由于带隙相对较大,硅在标准电信波长（1310 nm 和 1550 nm）下并不是有效的光吸收体。
本文将概述先进的技术的高速光电探测器,重点介绍用于集成光电子技术的硅基锗（Ge/Si）器件。 光电探测器（PD）将光转换为电信号的光电器件。 对于光通信而言,关键性能参数包括： 对于集成光电子技术,通常使用波导耦合光电探测器。 这些设备将光吸收路径与载流子收集路径分开,从而优化光耦合和电气性能。 锗是极具吸引力的材料,可用于硅平台上的近红外光探测,因为
2021年11月19日 · 硅光电池是一个大面积的光电二极管,它被设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此可用作光电探测器,被广泛用于太空和野外便携式仪器等的能源。
2013年1月14日 · 硅光电池是一个大面积的光电二极管,它设计用于把入射到它表面的光能转化为电能,因此,可用作光电探测器和光电池,被广泛用于太空和野外便携式仪器等能源。
结论 本文介绍了光电探测器的基本原理,重点是硅基光电子技术中使用的硅基锗 PIN 光电探测器。 主要内容包括 PIN 二极管的工作原理、硅基锗探测器的结构和设计、响应度、暗电流和带宽等性能指标以及设计注意事项和权衡。
2024年5月16日 · 尽管光电探测器和硅光电池在将光能转换为电能的基本原理上相似,但它们在设计、应用和性能指标上有所区别。 光电探测器更多地用于检测光信号,而硅光电池则用于太阳能发电。
2018年1月24日 · 硅光电池是一种能将光能直接转换成电能的半导体器件,其结构如图所示。 它实质上是一个大面积的半导体PN结。 硅光电池的基体材料为一薄片P型单晶硅,其厚度在0.44mm以栅状电极下,在它的表面上利用热扩散法生成一层N型受光层,基体和受光层的交接处形成PN结。 在N型受光层上制作有栅状负电极,另外在受光面上还均匀覆盖有抗反射膜,它是一层很薄的
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