2022年8月11日 · 异质结电池是在晶体硅和掺杂薄膜硅之间插入 本征薄膜i-a-Si：H,能够有效地钝化晶体硅表面的缺陷,因而异质结电池的开路电压比常规电池的要高。 异质结电池能够获得更高的光电转换效率。
2022年5月27日 · 与用于硅异质结（SHJ）太阳能电池的非晶硅（a-Si:H）薄膜相比,掺杂纳米晶硅（nc-Si:H）薄膜具有更好的载流子传输特性和更低的寄生吸收。 本文综述了nc-Si:H薄膜作为SHJ太阳电池载流子选择层的生长条件。
2023年8月8日 · HJT（HeterojunctionwithIntrinsicThin-film）——本征薄膜异质结电池。 具备对称双面电池结构,中间为N型晶体硅。 正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,从而形成P-N结。
2024年12月11日 · 该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最高后阐述了TCO薄膜应用的最高新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。
2024年4月16日 · 异质结太阳能电池,全方位称为晶体硅异质结太阳能电池,是一种结合了晶体硅电池与薄膜电池优势的新型太阳能电池技术。 它通过在晶体硅上沉积非晶硅薄膜,实现了光电转化效率提升潜力高、更大的降成本空间、更高的双面率、
2024年9月7日 · HJT电池,又称为异质结电池,是以N型单晶硅为基底,在前后表面分别沉积不同特性的硅基薄膜叠层和透明导电薄膜。 标准晶体硅太阳能电池是一种同质结电池,即PN结是在同一种半导体材料上形成的,而异质结电池的PN结采用不同的半导体材料构成。
2022年11月17日 · 本文分析了异质结电池的结构机理及性能优势,并通过实验研究了氧氩比对IWO薄膜透光率、方块电阻的影响及沉积时间对IWO薄膜电导率的影响,通过分析实验结果得到如下结论:
2024年10月9日 · 异质结 HJT ( Hereto- junctionwith Intrinsic Thin-layer )电池(同时也简称 HIT,SH1J,SJT等),以N型单晶硅(C-Si)为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H和掺杂的P型非晶硅(P-a-Si:H),和硅衬底形成 p-n 异质结。
2020年11月9日 · 异质结太阳电池英文名称缩写为HIT（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer）,中文名称为本征薄膜异质结电池。异质结电池最高早由日本三洋公司于1990年研发成功,并被注册为商标,后续进入异质结领域的企业为了避免专利纠纷而纷纷采用了不同的称谓,比如
使用 「美能光伏」 生产的 美能四探针电阻测试仪 进行检测,可先测量调节前 薄膜沉积后异质结太阳能电池的方阻和电阻率,得到精确确数据后,再测量调节后其电池的 方阻和电阻率,将两组数据或者多组数据进行比较,就可相应的对 异质结太阳能电池 的 性能或
对我们的先进光伏储能解决方案感兴趣吗？请致电或发消息给我们以获取更多信息。